| 生长温度和化学剂量比对MgZnO合金薄膜相结构的影响 |
| 吴春霞; 申德振 ; 范希武
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| 2008-12-15
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| 发表期刊 | 液晶与显示
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| ISSN | 1007-2780
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| 期号 | 6 |
| 摘要 | 利用等离子辅助分子束外延技术,在蓝宝石c-平面上外延生长了ZnO单晶薄膜。原位反射式高能电子衍射结果表明,在650℃时样品为平整的表面。但X射线衍射测量表明,在此温度下添加Mg源生长的MgxZn1-xO合金薄膜,随Mg量的增加很快经历了六角相-混合相-立方相的相结构转变,这与扫描电子显微照片的直观结果相对应。分析指出该结果是由生长温度和Ⅱ、Ⅵ族元素的化学剂量比共同决定的。 |
| 关键词 | 等离子辅助分子束外延
Mgzno合金
原位反射式高能电子衍射
X射线光电子能谱
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/21462
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| 专题 | 中科院长春光机所知识产出
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
吴春霞,申德振,范希武. 生长温度和化学剂量比对MgZnO合金薄膜相结构的影响[J]. 液晶与显示,2008(6).
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| APA |
吴春霞,申德振,&范希武.(2008).生长温度和化学剂量比对MgZnO合金薄膜相结构的影响.液晶与显示(6).
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| MLA |
吴春霞,et al."生长温度和化学剂量比对MgZnO合金薄膜相结构的影响".液晶与显示 .6(2008).
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格式：
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