Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
| InGaAsP/GaAs单量子阱半导体激光器光学特性的研究 | |
| 杨进华; 任大翠; 张剑家; 杜宝勋; 张兴德 | |
| 2000-08-25 | |
| 发表期刊 | 中国激光
 |
| 期号 | 08页码:687-690 |
| 关键词 | 半导体激光器 分别限制异质结构 光波导 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/32498 |
| 专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨进华,任大翠,张剑家,等. InGaAsP/GaAs单量子阱半导体激光器光学特性的研究[J]. 中国激光,2000(08):687-690. |
| APA | 杨进华,任大翠,张剑家,杜宝勋,&张兴德.(2000).InGaAsP/GaAs单量子阱半导体激光器光学特性的研究.中国激光(08),687-690. |
| MLA | 杨进华,et al."InGaAsP/GaAs单量子阱半导体激光器光学特性的研究".中国激光 .08(2000):687-690. |
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| InGaAsP_GaAs单量子阱半导体激（69KB） | 开放获取 | -- | 浏览 请求全文 | |||
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