| 霍尔离子源辅助制备长波红外碳化锗增透膜 |
| 王彤彤
|
| 2013-03-15
|
| 发表期刊 | 发光学报
|
| 期号 | 03页码:319-323 |
| 摘要 | 为了提高锗基底的透过率和环境适应性,镀制了增透保护膜。应用电子枪蒸发加霍尔离子源辅助的方法沉积了碳化锗(Ge1-xCx)薄膜。通过固定霍尔离子源参数,控制沉积速率的工艺得到了不同光学常数的碳化锗薄膜。X射线衍射(XRD)测试表明,所制备的碳化锗薄膜在不同的沉积速率下均为无定形结构。采用傅立叶变换红外(FTIR)光谱仪测量了试片的透过率,使用包络法获得了相应工艺条件下的光学常数。在锗基底上双面镀制碳化锗增透膜后,长波红外7.5～11.5μm波段的平均透过率Tave>85%。经过环境实验之后的碳化锗膜层完好,证明碳化锗增透膜具有良好的环境适应性。 |
| 关键词 | 碳化锗
长波红外增透膜
离子辅助
霍尔离子源
|
| 收录类别 | CNKI
|
| 语种 | 中文
|
| 文献类型 | 期刊论文
|
| 条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/38997
|
| 专题 | 中科院长春光机所知识产出
|
推荐引用方式
GB/T 7714 |
王彤彤. 霍尔离子源辅助制备长波红外碳化锗增透膜[J]. 发光学报,2013(03):319-323.
|
| APA |
王彤彤.(2013).霍尔离子源辅助制备长波红外碳化锗增透膜.发光学报(03),319-323.
|
| MLA |
王彤彤."霍尔离子源辅助制备长波红外碳化锗增透膜".发光学报 .03(2013):319-323.
|
|
文件名：
|
霍尔离子源辅助制备长波红外碳化锗增透膜.caj
|
|
格式：
|
caj
|
此文件暂不支持浏览
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论