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1.3μm和1.55μmGaInAsP/InP阵列激光器 期刊论文
半导体光电, 2000, 期号: 02, 页码: 104-106
作者:  赵英杰;  黎荣晖;  晏长岭;  钟景昌
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半导体激光器  大光腔结构  阵列激光器  脉冲峰值功率  
高功率1.55μm半导体激光器 期刊论文
兵工学报, 2000, 期号: 01, 页码: 90-92
作者:  黎荣晖;  赵英杰;  晏长岭;  钟景昌
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半导体激光器  大光腔结构  液相外延  
GaAs-GaAlAs大光腔激光器 期刊论文
长春光学精密机械学院学报, 1999, 期号: 02, 页码: 26-28
作者:  宋晓伟;  李梅;  任大翠
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液相外延  大光腔  半导体激光器  
堆积式列阵半导体激光器 期刊论文
长春光学精密机械学院学报, 1999, 期号: 02, 页码: 17-20
作者:  赵英杰;  黎荣晖;  晏长岭;  钟景昌
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半导体激光器  大光腔结构  堆积列阵  
半导体大光腔激光器的模式 期刊论文
长春光学精密机械学院学报, 1990, 期号: 03, 页码: 18-21
作者:  任大翠
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大光腔激光器  模式  
1.3微米铟镓砷磷大光腔半导体激光器 期刊论文
长春光学精密机械学院学报, 1989, 期号: 04, 页码: 39-44
作者:  朱宝仁;  黎荣晖;  钟景昌
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1  3微米  铟稼砷磷  大光腔  高功率  半导体激光器  
大光腔GaAs/Ga_(1-x)AlxAs激光器阈值功率特性研究 期刊论文
长春光学精密机械学院学报, 1988, 期号: 03, 页码: 133-136
作者:  张兴德;  任大翠;  王向武;  杨海泉;  张千勇;  史全林
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大光腔激光器  阈值特性  功率特性  
GaAs-(AlGa)As大光腔激光器 期刊论文
光学学报, 1983, 期号: 04, 页码: 358-363
作者:  张兴德;  任大翠
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大光腔激光器:9425  Gaas:1950  有源区:1647  输出波导:1630  外延片:739  近场图样:571  双异质结激光器:568  蒸镀:534  受激辐射:506  母液:486