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V形坑缺陷对GaN材料性能影响研究 学位论文
硕士, 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2018
作者:  付英昊
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氮化镓  金属有机物气相沉积  V形坑缺陷  
预通三甲基铝对AlN薄膜的结构与应变的影响(英文) 期刊论文
发光学报, 2012, 期号: 01, 页码: 82-87
作者:  贾辉;  陈一仁;  孙晓娟;  黎大兵;  宋航;  蒋红;  缪国庆;  李志明
caj(483Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:854/169  |  提交时间:2013/03/11
金属有机物气相沉积  Aln  预通三甲基铝(Tmal)  应力