Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
| 垂直腔面发射激光器及其制作方法 | |
宁永强 ; 张祥伟; 秦莉; 刘云; 王立军
| |
| 2014-07-09 | |
| 专利权人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 公开日期 | 2014-07-09 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 本发明涉及一种垂直腔面发射激光器及其制作方法，垂直腔面发射激光器包括n面电极、GaAs衬底、缓冲层、n型DBR层、氧化限制层、有源区、钝化层、p型DBR层、欧姆接触层。本发明的垂直腔面发射激光器及其制作方法，通过把氧化限制层通过一定工艺来把圆形的氧化层氧化成光栅条纹形，以此来打破电流的各向同性注入，通过引入各向异性的电流注入到有源区来实现两个相互正交的偏振光的偏振控制。另外，本发明的垂直腔面发射激光器结构制造工艺简捷、重复性好，容易推广。 |
| 专利号 | 201210279632.7 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | 201210279632.7 |
| PCT属性 | 是 |
| 专利代理人 | 张伟 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/42079 |
| 专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宁永强,张祥伟,秦莉,等. 垂直腔面发射激光器及其制作方法. 201210279632.7[P]. 2014-07-09. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN201210279632-垂直腔面发（546KB） | 开放获取 | CC BY-NC-ND | 浏览 请求全文 | |||
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