Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
| 扩散掺杂的p型ZnO薄膜的光学性质研究 | |
陈芳; 房丹; 王双鹏 ; 方铉; 唐吉龙; 赵海峰; 方芳; 楚学影; 李金华; 王菲; 王晓华; 刘国军; 马晓辉; 魏志鹏
| |
| 2015-07-15 | |
| 发表期刊 | 光谱学与光谱分析
 |
| 期号 | 07页码:1787-1790 |
| 摘要 | 采用原子层沉积技术(atomic layer deposition)在InP衬底上生长ZnO薄膜,并在不同温度下(500和700℃)进行热退火处理,将P掺杂进入ZnO,得到p型ZnO薄膜。样品的光学特性通过光致发光光谱(photoluminescence,PL)来测定,得出热退火温度是影响P扩散掺杂的重要因素,低温PL光谱中,700℃热退火1h样品的光谱展现出四个与受主相关的发射峰:3.351,3.311,3.246和3.177eV,分别来自受主束缚激子的辐射复合(A°X)、自由电子到受主的发射(FA)、施主受主对的发射(DAP)以及施主受主对的第一纵向声子伴线(DAP-1LO),计算得到受主束缚能为122meV,与理论计算结果一致。通过热扩散方式实现了ZnO薄膜的p型掺杂,解决了制约ZnO基光电器件发展的主要问题,对ZnO基半导体材料及其光电器件的发展有重要意义。 |
| 关键词 | 扩散掺杂 P型zno P掺杂 原子层沉积 光致发光 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/53985 |
| 专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈芳,房丹,王双鹏,等. 扩散掺杂的p型ZnO薄膜的光学性质研究[J]. 光谱学与光谱分析,2015(07):1787-1790. |
| APA | 陈芳.,房丹.,王双鹏.,方铉.,唐吉龙.,...&魏志鹏.(2015).扩散掺杂的p型ZnO薄膜的光学性质研究.光谱学与光谱分析(07),1787-1790. |
| MLA | 陈芳,et al."扩散掺杂的p型ZnO薄膜的光学性质研究".光谱学与光谱分析 .07(2015):1787-1790. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 扩散掺杂的p型ZnO薄膜的光学性质研究.（209KB） | 期刊论文 | 作者接受稿 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 浏览 请求全文 | |
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [陈芳]的文章 |
| [房丹]的文章 |
| [王双鹏]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [陈芳]的文章 |
| [房丹]的文章 |
| [王双鹏]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [陈芳]的文章 |
| [房丹]的文章 |
| [王双鹏]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论