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大功率InGaAsP/InGaP/GaAs激光器特性研究 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2003, 期号: 01, 页码: 11-13
作者:  李忠辉;  高欣;  李梅;  王玲;  张兴德
caj(57Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：569/123  |  提交时间：2013/03/11
分别限制异质结构  单量子阱  无铝激光器  
大功率GRIN-SCH-SQW激光器阵列 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2002, 期号: 03, 页码: 255-256+264
作者:  李忠辉;  王玲;  李梅;  高欣;  张兴德
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分子束外延  阵列半导体激光器  分别限制  量子阱  
InGaAsP/InGaP/GaAs SQW激光器的腔长对J_(th)和η_d的影响 期刊论文
半导体光电, 2002, 期号: 02, 页码: 90-91+95
作者:  李忠辉;  李梅;  王玲;  高欣;  王玉霞;  张兴德
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分别限制结构  阈值电流密度  外微分量子效率  
高功率线性梯度折射率GaAs/AlGaAs单量子阱激光器 期刊论文
发光学报, 2002, 期号: 01, 页码: 90-92
作者:  李忠辉;  王玉霞;  高欣;  李梅;  王玲;  张兴德
caj(28Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：587/101  |  提交时间：2013/03/11
梯度折射率  分别限制结构  单量子阱  激光器  
850nm有源区无铝高功率SCH-SQW激光器 期刊论文
中国激光, 2002, 期号: 01, 页码: 5-6
作者:  李忠辉;  王玉霞;  王玲;  高欣;  王向武;  张兴德
caj(21Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：838/124  |  提交时间：2013/03/11
有源区  大功率激光器  分别限制单量子阱  
LP-MOVPE生长宽波导有源区无铝单量子阱激光器 期刊论文
半导体学报, 2001, 期号: 12, 页码: 1557-1560
作者:  李忠辉;  王向武;  杨进华;  张兴德
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金属有机化合物气相外延  宽波导  分别限制  单量子阱  无铝激光器  
LP-MOCVD生长大功率InGaAsP/GaAs量子阱激光器 期刊论文
功能材料与器件学报, 2000, 期号: 03, 页码: 232-235
作者:  李忠辉;  张宝顺;  杨进华;  张兴德;  王向武
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分别限制结构  单量子阱  激光器  
InGaAsP/GaAs单量子阱半导体激光器光学特性的研究 期刊论文
中国激光, 2000, 期号: 08, 页码: 687-690
作者:  杨进华;  任大翠;  张剑家;  杜宝勋;  张兴德
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半导体激光器  分别限制异质结构  光波导  
高功率无铝半导体激光器 期刊论文
半导体光电, 2000, 期号: 02, 页码: 80-84
作者:  杨进华;  张兴德;  任大翠
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半导体激光器  高功率  量子阱  分别限制异质结构  
具有高特征温度的808nm大功率半导体激光器 期刊论文
半导体光电, 1999, 期号: 06, 页码: 388-389+392
作者:  高欣;  曲轶;  薄报学;  张宝顺;  张兴德
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半导体激光器  液相外延  分别限制单量子阱  特征温度